D i ó d a

 

Polovodičová dióda

Usmerňovacia dióda

Stabilizačná (Zenerova) dióda

Frekvenčná závislosť diód

 

Polovodičová dióda

 

Polovodičová dióda je najjednoduchšia polovodičová sú­čiastka s jedným P-N priechodom. P-N priechod je vytvorený v monokryštály čistého polovodiča vhodnou technológiou. Takýto zapuzdrený P-N priechod vhodne opatrený elektródami tvorí polo­vodičovú diódu.

Ak je dióda zapojená do obvodu tak, aby na jej anóde (na časti s vodivosťou P) bolo kladné a na katóde (časti s vodivosťou N) záporné napätie, je dióda polarizovaná v tzv. priepustnom smere - vedie elektrický prúd (obr.1).

Pri opačnej polarite napätia na anóde a katóde je dióda polari­zovaná v tzv. závernom smere - elektrický prúd nevedie.

 

Podľa základného použitia môžeme diódy rozdeliť ako:

·      usmerňovacie,

·      stabilizačné (Zenerove),

·      luminiscenčné (LED),

·      fotodiódy.

V tejto kapitole sa sústredíme len na prvé dva typy polovodičových diód.

 

Naspäť

Usmerňovacia dióda

 

Polovodičová dióda zapojená do strieda­vého obvodu predstavuje vlastne najjedno­duchší usmerňovač. Jej usmerňovací účinok spočíva v tom, že v priepustnom smere má dióda malý odpor a v závernom veľký.

V priepustnom smere má dióda najprv pri malom napätí veľký odpor, ktorý rýchlo klesá pri dosiahnutí tzv. prahového napätia U(TO). Ďalej sa s rastúcim prúdom diódy mení jej od­por len nepatrne, a preto podľa obr.2 je cha­rakteristika v priepustnej časti strmá. V priepustnom smere môže byť úbytok napätia na dióde DUD v rozmedzí 0,6 až 1,2 V. Veľkosť prahového napätia je u germániovej diódy 0,3 až 0,5 V a u kremíkovej 0,5 až 1,1 V.

Usmerňovacie diódy sa v závernom smere nesmú zaťažovať a treba ich chrániť pred prepätím. Po zvýšení napätia medzi anódou a katódou nad hodnotu tzv. prierazného napätia sa dióda prierazom poškodí a vedie elektrický prúd tak, ako to vyplýva z voltampérovej charakteristiky polovodičovej diódy – obr.2

 

Naspäť


 

Stabilizačná (Zenerova) dióda

Táto dióda má v priepustnom smere po­dobnú charakteristiku ako usmerňovacia (obr.3). V závernom smere je charakteris­tika Zenerovej diódy tiež podobná charakte­ristiky obyčajnej, až na prierazné napätie UZen (tzv. Zenerove napätie). Po prekročení tohto napä­tia dochádza k lavínovému nárastu počtu voľných nosičov elektrického prúdu v oblasti PN priechodu diódy. Pri tomto pro­cese ne­dôjde však k poškodeniu diódy ako pri oby­čajnej dióde používanej v polovodičových usmerňovačoch. Pri tomto prudkom náraste prúdu sa napätie takmer nemení. Veľkosť maximálneho Zenerovho prúdu IZmax je pri jednotlivých typoch diód daná maximálnou výkonovou stratou PZmax (obr.3).

 

Typické zapojenie stabilizátora jedno­smerného napätia so Zenerovou diódou je uvedené na obr.4. Odpor R0 musí mať pre vstupné napätie U1 takú hodnotu, aby pra­covný bod diódy ležal v tzv. Zenerovej ob­lasti voltampérovej charakteristiky (obr.3). Nie je vhodné, aby sa pracovný bod diódy nachádzal v blízkosti kolena V-A charakte­ristiky (IZmin), alebo blízkosti krivky maxi­málnej zaťažiteľnosti (IZmax)

 

Naspäť


 

Frekvenčná závislosť diód

 

Z hľadiska výrobných postupov a prúdovej zaťažiteľnosti sa začali používať plošné diódy.

 

Pri vysokých frekvenciách je ich použitie problematické, pretože majú pomerne veľkú kapacitu závernej vrstvy (až niekoľko stoviek pF). Kapacita totiž rastie úmerne s plochou doštičky a zhoršuje dynamické vlastnosti diód. Ak takúto plošnú diódu použijeme u jednoimpulzového usmerňovača, dôjde pri náraste frekvencie  (už od 400 Hz) k nárastu dobe zotavenia tr r voči dobe v závernom smere TR , t.j. dôjde k oneskoreniu signálu (obr.5 – vrchný alebo spodný priebeh).

Percentuálny pomer doby zotavenia tr r voči dobe TR , ktorý rastie s veľkosťou frekvencie, vypočítame

                                 (1)

 

Ak má byť kapacita malá (čo sa vyžaduje najmä v impulzovej technike), musíme udržať malú kontaktnú plochu. Toto sa dosiahne u hrotových diód.

Pri osadení kovového hrotu na polovodič vodivosti N sa dá odpovedajúcou technológiou v mieste dotyku vytvoriť v okolí hrotu v polovodiči N tenká oblasť P. Vzniká teda prechod PN s už popísanými vlastnosťami, ktorý však má kapacitu závernej vrstvy radu len (0,5 až 1) pF, tj. dióda je takmer bezkapacitná.

 

Naspäť